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日本胜利开辟出嵌入锗量子点的硅基LED

公布工夫:2010-5-31 10:14:30471次

据国外有色网报导:

  克日,日本东京都会大学综合研究所硅纳米科学研究中心胜利开辟出接纳锗(Ge)量子点的硅发光元件。

  东京都会大学工学部传授、硅纳米科学研究中心主任丸泉琢阐明,该发光元件是在基于硅的pin机关元件的i层中,嵌入了直径为数10~100nm的锗细小粒子,这类粒子具有提高电子和空穴之间重组率的感化,是藉由份子束内涵法在约 400℃温度下构成,因而元件的制造工艺与CMOS工艺具有兼容性。

  该元件活性层部门的直径约为3μm。已确认可在室温下,经由过程电流注入能够收回波长为1.2μm阁下的光芒。发光的内部量子服从为10-2。另外,假如增长注入电流、发光强度就会大幅提高的偏向。将来将在2~3年后开辟出作为光开关事情的元件。

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